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Módulo de potencia IGBT

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Tubo NPT TO-264 de la soldadora de FGL40N120ANDTU 40A 1200V solo IGBT

Tubo NPT TO-264 de la soldadora de FGL40N120ANDTU 40A 1200V solo IGBT

IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W a través del agujero TO-264-3
Semi / Semi catalizador
Foso IGBT 25A 1200V de FGA25N120ANTD TO-3P NPT

Foso IGBT 25A 1200V de FGA25N120ANTD TO-3P NPT

IGBT NPT y foso 1200 V 50 A 312 W a través del agujero TO-3P
Semi / Semi catalizador
IGBT 600V 22A 156W aisló el transistor bipolar IRGB10B60KDPBF de la puerta

IGBT 600V 22A 156W aisló el transistor bipolar IRGB10B60KDPBF de la puerta

IGBT NPT 600 V 22 A 156 W a través del agujero TO-220AB
Infineon
Diodo paralelo anti 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT Hyperfast

Diodo paralelo anti 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT Hyperfast

IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W a través del agujero TO-247-3
Semi / Semi catalizador
Conexión original RJ45 Ethernet Jack Plug J00-0065NL para placa PBC

Conexión original RJ45 Ethernet Jack Plug J00-0065NL para placa PBC

1 puerto RJ45A través del orificio 10/100 Base-TX, AutoMDIX
Fabricante
PTH04000WAH HISTORÍA NUEVA y original

PTH04000WAH HISTORÍA NUEVA y original

El convertidor sin aislar 1 de PoL Module DC DC hizo salir 0,9 ~ 3.6V 3A 3V - entrada 5.5V
Las acciones de Texas Instruments
6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A estabilizó el soporte del carril del dinar de la fuente de alimentación

6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A estabilizó el soporte del carril del dinar de la fuente de alimentación

Fabricante
Mosfet IGBT 300W de la INMERSIÓN de IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V

Mosfet IGBT 300W de la INMERSIÓN de IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V

IGBT pinta 600 V 75 A 300 W a través del agujero TO-247AD
Fabricante
Híbrido del regulador 20A 600V Pwr de la gestión del poder de IRAMX20UP60A para todos los canales

Híbrido del regulador 20A 600V Pwr de la gestión del poder de IRAMX20UP60A para todos los canales

La fase 600 V 20 de Module IGBT 3 del conductor del poder 23-PowerSIP un módulo, 19 ventajas, formó
Infineon
Módem de datos flexible de paquete de Chip Low Power GMSK del circuito integrado CMX909BD5

Módem de datos flexible de paquete de Chip Low Power GMSK del circuito integrado CMX909BD5

38.4k módem 24-SSOP
Fabricante
UPS161 Sincronización de señal de control CMOS LSI placas de circuito de televisión con conductor LED placa de circuito

UPS161 Sincronización de señal de control CMOS LSI placas de circuito de televisión con conductor LED placa de circuito

SERIE 3000VA 120V de GT MONTADA EN RACK
Fabricante
Modulo de alimentación IGBT nuevo y original

Modulo de alimentación IGBT nuevo y original

Módulo IGBT Parada de campo de zanja 2 Módulo de montaje de chasis independiente de 1200 V 450 A 160
Infineon
FF50R12RT4HOSA1 existencias nuevas y originales

FF50R12RT4HOSA1 existencias nuevas y originales

Módulo IGBT Parada de campo de zanja Puente medio 1200 V 50 A 285 W Módulo de montaje del chasis
Infineon
BSM100GB60DLCHOSA1 nuevo y original

BSM100GB60DLCHOSA1 nuevo y original

Modulo IGBT único 600 V 130 A 445 W Modulo montado en el chasis
Infineon
FF150R12RT4HOSA1 existencias nuevas y originales

FF150R12RT4HOSA1 existencias nuevas y originales

Módulo IGBT Parada de campo de zanja Puente medio 1200 V 150 A 790 W Módulo de montaje del chasis
Infineon
FF100R12RT4HOSA1 existencias nuevas y originales

FF100R12RT4HOSA1 existencias nuevas y originales

Modulo IGBT Parada de campo de zanja 2 Modulo independiente de montaje de chasis de 1200 V 100 A 555
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRAM136-1061A2

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRAM136-1061A2

La fase 600 V 12 de Module IGBT 3 del conductor del poder 29-PowerSSIP un módulo, 21 ventajas, formó
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGP4660D-EPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGP4660D-EPBF

IGBT 600 V 100 A 330 W a través del agujero TO-247AD
Infineon
IRGP4063DPBF Transistor de efecto de campo / Transistor de potencia Buen rendimiento

IRGP4063DPBF Transistor de efecto de campo / Transistor de potencia Buen rendimiento

Foso 600 V 96 A 330 W de IGBT a través del agujero TO-247AC
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGP4062DPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGP4062DPBF

Foso 600 V 48 A 250 W de IGBT a través del agujero TO-247AC
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGP4068DPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGP4068DPBF

Foso 600 V 96 A 330 W de IGBT a través del agujero TO-247AC
Infineon
Transistores de efecto de campo originales de EE.UU. de la norma ROHS IRGP4066D-EPBF

Transistores de efecto de campo originales de EE.UU. de la norma ROHS IRGP4066D-EPBF

Foso 600 V 140 A 454 W de IGBT a través del agujero TO-247AD
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGB4062DPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGB4062DPBF

Foso 600 V 48 A 250 W de IGBT a través del agujero TO-220AB
Infineon
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGB4061DPBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRGB4061DPBF

Foso 600 V 36 A 206 W de IGBT a través del agujero TO-220AB
Infineon
IRG4PH40UDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

IRG4PH40UDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

IGBT 1200 V 41 A 160 W a través del agujero TO-247AC
Infineon
IRG4PC40UDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

IRG4PC40UDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

IGBT 600 V 40 A 160 W a través del agujero TO-247AC
Infineon
IRG4PC40WPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

IRG4PC40WPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original

IGBT 600 V 40 A 160 W a través del agujero TO-247AC
Infineon
Modulo de alimentación IGBT VS-T90RIA120 nuevo y original

Modulo de alimentación IGBT VS-T90RIA120 nuevo y original

T-módulo del soporte D-55 del chasis del kilovoltio 141 A del módulo 1,2 del SCR solo
VISHAY
Modulo de alimentación IGBT PWB80A40 nuevo y original

Modulo de alimentación IGBT PWB80A40 nuevo y original

Módulo 400 V 125 del SCR un puente, trifásico - todo el módulo del soporte del chasis de los SCR
Corporación SanRex
DFA150AA160 módulo de alimentación IGBT nuevo y original

DFA150AA160 módulo de alimentación IGBT nuevo y original

Módulo del SCR puente de 1,6 kilovoltios, trifásico - módulo del soporte del chasis de los SCR/de lo
Corporación SanRex
Modulo de energía IGBT PWB80A30 NUEVO Y ORIGINAL

Modulo de energía IGBT PWB80A30 NUEVO Y ORIGINAL

Módulo 300 V 125 del SCR un puente, trifásico - todo el módulo del soporte del chasis de los SCR
Corporación SanRex
Transistor FGH40N60 FGH40N60SMD de los componentes electrónicos 40N60 IGBT del servicio de IC BOM

Transistor FGH40N60 FGH40N60SMD de los componentes electrónicos 40N60 IGBT del servicio de IC BOM

Parada de campo de IGBT 600 V 80 A 349 W a través del agujero TO-247-3
Semi / Semi catalizador
Parada de campo de FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V IGBT nuevo IC original

Parada de campo de FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V IGBT nuevo IC original

Parada de campo de IGBT 600 V 80 A 290 W a través del agujero TO-247-3
Semi / Semi catalizador
nuevo módulo de poder original llegado del igbt CM200DY-24A

nuevo módulo de poder original llegado del igbt CM200DY-24A

Módulo 1340 del soporte del chasis del puente 1200 V 200 A W del módulo de IGBT medio
Fabricante
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico de CLC5903VLA

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico de CLC5903VLA

Las acciones de Texas Instruments
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico 0826-1AX1-47

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del chip CI electrónico 0826-1AX1-47

Fabricante
PTN78000 WAH Common Ic Chips New y certificación común original de ROHS

PTN78000 WAH Common Ic Chips New y certificación común original de ROHS

Las acciones de Texas Instruments
STK621 - el SORBO híbrido del circuito de inversor del módulo de poder de 033 N.E. Mosfet por completo moldeó

STK621 - el SORBO híbrido del circuito de inversor del módulo de poder de 033 N.E. Mosfet por completo moldeó

Se aplicará el método de medición de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Semi / Semi catalizador
El MÓDULO HÍBRIDO del PODER del INVERSOR de STK621-728-E SORBE el paquete moldeado completo

El MÓDULO HÍBRIDO del PODER del INVERSOR de STK621-728-E SORBE el paquete moldeado completo

El conductor de los motores de corriente alterna IGBT 21-SIP
Fabricante
Módulo del equipo ESP-WROOM-02U-N2 Wifi del tablero del desarrollo de la alta precisión

Módulo del equipo ESP-WROOM-02U-N2 Wifi del tablero del desarrollo de la alta precisión

Módulo 2.4GHz del transmisor-receptor de WiFi 802.11b/g/n ~ la antena 2.5GHz no incluyó, el soporte
Fabricante
Módulo de CH340 V3 Nodemcu Lua Wifi Development Board ForMOD-WIFI-ESP8266

Módulo de CH340 V3 Nodemcu Lua Wifi Development Board ForMOD-WIFI-ESP8266

Módulo 2.4GHz integrado, Trace Through Hole del transmisor-receptor de WiFi 802.11b/g/n
Fabricante
El tablero Kit Top With del desarrollo del AIRE ESP32-D0WD-V3 el 16M WIFI Dual Core integró el módulo

El tablero Kit Top With del desarrollo del AIRE ESP32-D0WD-V3 el 16M WIFI Dual Core integró el módulo

IC RF TxRx + MCU Bluetooth, WiFi 802.11b/g/n, Bluetooth 4,2 2.412GHz ~ 2.484GHz 48-VFQFN expuso el c
Fabricante
Módulo estándar 2 del voltaje ESP32-C3-MINI-1-H4 Wifi en 1 módulo de la CPU de Dual Core

Módulo estándar 2 del voltaje ESP32-C3-MINI-1-H4 Wifi en 1 módulo de la CPU de Dual Core

Bluetooth, WiFi 802.11b/g/n, módulo 2.412GHz ~ 2.484GHz PWB Trace Surface Mount del transmisor-recep
Fabricante
Módulo del transmisor-receptor de la transmisión de IoT de Ethernet de WiFi del puerto serie del tablero del desarrollo ESP32-S2FN4R2

Módulo del transmisor-receptor de la transmisión de IoT de Ethernet de WiFi del puerto serie del tablero del desarrollo ESP32-S2FN4R2

La antena del módulo 2.4GHz del transmisor-receptor de WiFi 802.11b/g/n no incluyó el soporte superf
Fabricante
8MP 160 módulo de la cámara del grado DEV-16260

8MP 160 módulo de la cámara del grado DEV-16260

Sensor 3280H x 2464V el 1.12µm el x 1.12µm de la imagen
Fabricante
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE PTH08T240WAD

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE PTH08T240WAD

El convertidor sin aislar 1 de PoL Module DC DC hizo salir 0,69 ~ 5.5V 10A 4.5V - entrada 14V
Las acciones de Texas Instruments
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE UPS16180

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE UPS16180

SERIE 3000VA 120V de GT MONTADA EN RACK
Fabricante
MT16LSDF6464HY-133D2 memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC

MT16LSDF6464HY-133D2 memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC

Módulo de memoria SDRAM 512 MB 144-SODIMM
Micrón
103990057 ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL

103990057 ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL

OV7725, VC0706 Placa de expansión de evaluación de plataforma Arduino con sensor de cámara
Fabricante
Transistor de efecto de campo IRG4PC40UDPBF STOCK NUEVO Y ORIGINAL

Transistor de efecto de campo IRG4PC40UDPBF STOCK NUEVO Y ORIGINAL

IGBT 600 V 40 A 160 W a través del agujero TO-247AC
Infineon
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